Resistència negativa

Un diode Gunn, un dispositiu semiconductor amb resistència diferencial negativa, usat per generar microones

En electrònica, la resistència negativa és una propietat d'alguns circuits i dispositius elèctrics en els que un augment de voltatge a través dels terminals del dispositiu provoca en una disminució del corrent elèctric a través d'ella.[1][2]

Això s'oposa al que passa en una resistència ordinària, en la qual un augment del voltatge aplicat causa un augment proporcional del corrent a causa de la llei d'Ohm, resultant en una resistència positiva.[3] Mentre que una resistència positiva consumeix energia del corrent que passa a través d'ella, una resistència negativa produeix energia.[4][5] Sota certes condicions pot augmentar la potència d'un senyal elèctric, amplificant-la.[6][7][8]

La resistència negativa és una propietat poc comuna que passa en uns pocs components electrònics no lineals. S'utilitza en oscil·ladors i amplificadors electrònics,[9] particularment a freqüències de microones. La majoria de l'energia de microones es produeix amb dispositius de resistència diferencial negativa.[10] També poden tenir histèresi[11] i ser biestables, i per tant s'utilitzen en commutació i circuits de memòria.[12] Alguns exemples de dispositius amb resistència diferencial negativa són els diodes túnel, diodes Gunn i tubs de descàrrega de gas tals com les làmpades de neó.

Referències

  1. ↑ Amos, Stanley William; Amos, Roger S.; Dummer, Geoffrey William Arnold. Newnes Dictionary of Electronics, 4th Ed.. Newnes, 1999, p. 211. ISBN 0750643315. 
  2. ↑ Graf, Rudolf F. Modern Dictionary of Electronics, 7th Ed.. Newnes, 1999, p. 499. ISBN 0750698667. 
  3. ↑ Shanefield, Daniel J. Industrial Electronics for Engineers, Chemists, and Technicians. Elsevier, 2001, p. 18–19. ISBN 0815514670. 
  4. ↑ Carr, Joseph J. Microwave & Wireless Communications Technology. USA: Newnes, 1997, p. 313–314. ISBN 0750697075. 
  5. ↑ Groszkowski, Janusz. Frequency of Self-Oscillations. Warsaw: Pergamon Press - PWN (Panstwowe Wydawnictwo Naukowe), 1964, p. 45–51. ISBN 1483280306. 
  6. ↑ Aluf, Ofer. Optoisolation Circuits: Nonlinearity Applications in Engineering. World Scientific, 2012, p. 8–11. ISBN 9814317004. 
  7. ↑ Gottlieb, Irving M. Practical Oscillator Handbook. Elsevier, 1997, p. 75–76. ISBN 0080539386. 
  8. ↑ Kaplan, Ross M. «Equivalent circuits for negative resistance devices» p. 5–8, diciembre 1968. [Consulta: 21 setembre 2012]. «Còpia arxivada». Arxivat de l'original el 2014-08-19. [Consulta: 19 gener 2018].
  9. ↑ Shahinpoor, Mohsen; Schneider, Hans-Jörg. Intelligent Materials. Londres: Royal Society of Chemistry, 2008, p. 209. ISBN 0854043357. 
  10. ↑ Golio, Mike. The RF and Microwave Handbook. CRC Press, 2000, p. 5.91. ISBN 1420036769. 
  11. ↑ Kumar, Umesh «Design of an indiginized negative resistance characteristics curve tracer». Active and Passive Elect. Components. Hindawi Publishing Corp., 23, abril 2000, pàg. 1–2 [Consulta: 3 maig 2013].
  12. ↑ Beneking, H. High Speed Semiconductor Devices: Circuit aspects and fundamental behaviour. Springer, 1994, p. 114–117. ISBN 0412562200.