32 nm 공정

반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2024
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
v • d • e • h

32 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 32 nm인 반도체를 다루는 CMOS 반도체 제조 공정이다.

32 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

인텔 코어 i3, 인텔 코어 i5의 애런데일, 클락데일.^[1]
인텔 2세대 코어 프로세서 샌디브리지.
웨스트미어 아키텍처인 "걸프타운" 인텔 코어 i7 980x 익스트림 에디션.
인텔 6코어 프로세서 코어 i7-970.
AMD 불도저 프로세서
AMD 퓨전 프로세서 중 코드명 라노

각주

↑ “Intel Debuts 32-NM Westmere Desktop Processors”. InformationWeek. 2010년 1월 7일. 2010년 3월 17일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2011년 8월 16일에 확인함.

외부 링크

(영어) Chipmakers gear up for manufacturing hurdles
(영어) Sony, IBM, and Toshiba partnering on semiconductor research
(영어) IBM and AMD partnering on semiconductor research Archived 2006년 7월 16일 - 웨이백 머신
(영어) Slashdot discussion
(영어) Intel press release
(영어) Intel 32 nm process
(영어) Intel 32 nm SRAM demonstration at IDF 2007
(영어) Samsung self-aligned double patterning technology^{[깨진 링크(과거 내용 찾기)]}

이 글은 공학에 관한 토막글입니다. 여러분의 지식으로 알차게 문서를 완성해 갑시다.

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